[发明专利]局部字线驱动器件、存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201980003501.6 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111052380B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 甘程;刘威;黄诗琪;陈顺福 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11531;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了局部字线驱动器件、存储器件和制造方法。局部字线驱动器件包括衬底和在衬底上形成的晶体管结构的阵列。晶体管结构被配置在行和列中。衬底包括多个第一场区和多个第二场区，每个第一场区在晶体管结构的相邻行之间，以及每个第二场区在晶体管结构的相邻列之间。深沟槽隔离结构在衬底的多个第一场区或多个第二场区中的至少一个场区中形成。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 驱动 器件 存储 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
