[发明专利]局部字线驱动器件、存储器件及其制造方法

说明书

提供了局部字线驱动器件、存储器件和制造方法。局部字线驱动器件包括衬底和在衬底上形成的晶体管结构的阵列。晶体管结构被配置在行和列中。衬底包括多个第一场区和多个第二场区，每个第一场区在晶体管结构的相邻行之间，以及每个第二场区在晶体管结构的相邻列之间。深沟槽隔离结构在衬底的多个第一场区或多个第二场区中的至少一个场区中形成。

技术领域

概括而言，本公开内容涉及存储器件的领域，以及更具体地，本公开内容涉及局部字线驱动器件及其制造方法。

背景技术

在高密度存储器中，存储器单元的阵列被分成存储器单元的块。每个块可以包括局部字线，需要相应的局部字线驱动器。全局字线驱动器为在阵列中的块的列驱动全局字线组。根据应用于选定块的操作(诸如对高密度器件的读取、编程和擦除)来设置在该全局字线组中的每个字线。一些字线可能需要高电压。字线驱动器可以包括用于将电压从全局字线转移到局部字线的传输晶体管。

在三维NAND存储器中，芯片大小限制可以使在XDEC传输晶体管电路中的HVN(即，高电压NMOS)器件之间的间距在X和Y方向上都变得越来越小。在单元编程操作期间，传输晶体管需要在29V的栅极电压处传输源极/漏极区的25V的高电压。在相邻HVN器件之间的电压差可以是大约25V。照惯例，在X方向上在HVN器件之间形成p型场注入物以抑制穿通，以及在Y方向上在HVN器件之间形成p+抽头以抑制闩锁效应。

然而问题出现，因为场注入物需要与在衬底中的相同类型的离子的注入，这可能使HVN器件的漏极-源极击穿电压(BVDss)变得更坏。此外，为了确保p+抽头的功能，在Y方向上在HVN器件之间的间距不能继续缩小，且因此影响存储器件的y间距缩小。

所公开的器件和制造方法目的在于解决上面阐述的一个或多个问题和本领域中的其它问题。

发明内容

本公开内容的一个方面提供了局部字线驱动器件，包括衬底和在衬底上形成的晶体管结构的阵列。晶体管结构被配置在行和列中。衬底包括多个第一场区和多个第二场区，每个第一场区在晶体管结构的相邻行之间，以及每个第二场区在晶体管结构的相邻列之间。深沟槽隔离结构在衬底的多个第一场区或多个第二场区中的至少一个场区中形成。

本公开内容的另一方面提供了存储器件。存储器件包括局部字线驱动器件。局部字线驱动器件包括衬底和在衬底上形成的晶体管结构的阵列。晶体管结构被配置在行和列中。衬底包括多个第一场区和多个第二场区，每个第一场区在晶体管结构的相邻行之间，以及每个第二场区在晶体管结构的相邻列之间。深沟槽隔离结构在衬底的多个第一场区或多个第二场区中的至少一个场区中形成。

本公开内容的另一方面提供了用于形成存储器件的方法。第一晶圆包括第一衬底、被配置在行和列中并在第一衬底上形成的晶体管结构的阵列、在第一衬底中形成并在相邻晶体管结构之间的隔离结构以及在晶体管结构的阵列上形成的第一电介质层。第二晶圆包括第二衬底和在第二衬底上形成的第二电介质层。第二晶圆的第二电介质层与第一晶圆的第一电介质层键合。第一衬底减薄以提供减薄的第一衬底。背侧深沟槽穿过减薄的第一衬底形成，以及背侧深沟槽连接到第一晶圆的隔离结构。通过在背侧深沟槽中形成电介质材料来在相应的隔离结构上形成背侧深沟槽隔离结构。

按照本公开内容的描述、权利要求和附图，本公开内容的其它方面可以为本领域中的技术人员所理解。

附图说明

下面的附图仅仅是根据各种所公开的实施方式的为了说明性目的的示例，且并不意欲限制本公开内容的范围。

图1示出了符合本公开内容中的各种所公开的实施方式的示例性局部字线驱动器件的一部分；

图2示出了符合本公开内容中的各种所公开的实施方式的在图1中的沿着y-y’方向的示例性晶体管结构；

图3示出了符合本公开内容中的各种所公开的实施方式的另一示例性局部字线驱动器件的一部分；