[发明专利]竖直存储器件有效
| 申请号： | 201980001757.3 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110770902B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张中 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的各方面提供了一种半导体器件。该半导体器件包括沿垂直于半导体器件的衬底的方向，在衬底上方的阵列区中交替地堆叠的栅极层和绝缘层。此外，该半导体器件包括在阵列区中形成的沟道结构的阵列。在衬底上的连接区中的栅极层和绝缘层以阶梯形式堆叠，其中阶梯台阶具有不均匀的阶梯深度。此外，该半导体器件包括通往栅极层的触点结构。该触点结构形成于具有不均匀的阶梯深度的阶梯台阶上。 | ||
| 搜索关键词： | 竖直 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n沿垂直于所述半导体器件的衬底的方向，在所述衬底上方的阵列区中交替地堆叠的栅极层和绝缘层；/n在所述阵列区中形成的沟道结构的阵列；/n在所述衬底上方的连接区中的以阶梯形式堆叠的所述栅极层和所述绝缘层，其中，阶梯台阶具有不均匀的阶梯深度；以及/n形成于具有所述不均匀的阶梯深度的所述阶梯台阶上的、通往所述栅极层的触点结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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