[发明专利]用于静电放电(ESD)保护的低电容和高保持电压瞬态电压抑制器(TVS)器件

摘要

一种无阱的瞬态电压抑制器(TVS)硅控整流器(SCR)，其P+阳极区不在N阱中。P+阳极区20被表面附近的N+隔离区围绕，并且下面的深N+区形成在p‑衬底中。N+阴极区形成在p‑衬底中。深N+区的掺杂为5x1018至5x1019/cm3，相比之下，典型N阱的掺杂为1x1016/cm3，或者p‑衬底的掺杂为1x1013至1x1015/cm3。深N+区中的高掺杂导致复合电流，其可以分流一半阳极电流。由于深N+区比N阱浅得多，因此侧壁电容大大减小，允许更高速的应用。

主权项

1.一种无阱的瞬态电压抑制器(TVS)硅控整流器(SCR)器件，包括：p‑衬底；深N+区，其形成在所述p‑衬底中；P+阳极区，其形成在所述p‑衬底中的所述深N+区上方；N+隔离区，其围绕所述P+阳极区，并形成在所述p‑衬底中的所述深N+区上方；N+阴极区，其形成在所述p‑衬底中；其中所述深N+区的掺杂浓度比所述p‑衬底的掺杂浓度大至少10,000倍。