[实用新型]一种高纯砷晶体的制备装置有效
| 申请号: | 201922447055.8 | 申请日: | 2019-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN211497744U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
| 发明(设计)人: | 董持衡;成者;涂畅;马衍伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号: | C22B30/04 | 分类号: | C22B30/04;C22B9/00 |
| 代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 马小星 |
| 地址: | 100190 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本实用新型提供了一种高纯砷晶体的制备装置,属于提纯装置技术领域。本实用新型提供的高纯砷晶体的制备装置,包括加热炉9和设置在加热炉9内的反应容器11,反应容器11的顶部开口和侧壁填料口分别设置有可开关的上盖板14和侧盖板15,上盖板14上分别设置有第一开口、第二开口和第三开口,分别连接有真空供气系统、废气处理系统和防爆装置;加热炉9的侧壁上设置有上加热装置6和下加热装置5,用于对反应容器11进行加热,分别形成上半部分温区和下半部分温区,并分别设置有热电偶7用于检测温度。本实用新型提供的高纯砷晶体的制备装置结构简单,操作简易,能够快捷、方便地提纯制备砷晶体。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 高纯 晶体 制备 装置 | ||
【主权项】:
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