[实用新型]一种具有环形坩埚的半导体硅材料生长炉有效
| 申请号： | 201922375846.4 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN211734528U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李辉;秦英谡;郑锴;张熠;穆童 | 申请（专利权）人： | 南京晶升能源设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 211113 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有环形坩埚的半导体硅材料生长炉，包括炉体、位于炉体内的隔热层、发热体、坩埚，发热体围绕坩埚，隔热层围绕在坩埚及发热体外围，所述坩埚为圆柱形且坩埚的横截面为环形；以增加产品尺寸，提高产能，降低能耗；同时增大了热场尺寸，对坩埚内部的加热更加均匀，改善四周硅锭质量，从而避免角锭的产生，提升了硅锭整体的良率和质量。另外环形坩埚装料量降低，避免了角部因受力不均匀导致的坩埚壁撕裂漏硅的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 环形 坩埚 半导体 材料 生长 | ||
【主权项】：
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