[实用新型]一种具有环形坩埚的半导体硅材料生长炉有效
| 申请号： | 201922375846.4 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN211734528U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李辉;秦英谡;郑锴;张熠;穆童 | 申请（专利权）人： | 南京晶升能源设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 211113 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 环形 坩埚 半导体 材料 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有环形坩埚的半导体硅材料生长炉，包括炉体、位于炉体内的隔热层、发热体、坩埚，发热体围绕坩埚，隔热层围绕在坩埚及发热体外围，
其特征在于，所述坩埚为圆柱形且坩埚的横截面为环形；所述发热体的横截面同样为圆环形并包围所述坩埚。
2.根据权利要求1所述的半导体硅材料生长炉，其特征在于：所述发热体包括有三段，分别为自下向上布置的下发热体、中发热体、上发热体。
3.根据权利要求1或2所述的半导体硅材料生长炉，其特征在于：所述坩埚下方设有支撑坩埚的坩埚轴，所述坩埚轴带动坩埚转动。
4.根据权利要求2所述的半导体硅材料生长炉，其特征在于：所述坩埚轴为石墨坩埚轴。
5.根据权利要求4所述的半导体硅材料生长炉，其特征在于：所述石墨坩埚轴向下穿过隔热层。
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