[实用新型]一种新型CMOS工艺过流保护结构有效
| 申请号： | 201922281294.0 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN211044059U | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 李湘春;徐兴;蓝龙伟;胡锦 | 申请（专利权）人： | 苏州锐控微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种新型CMOS工艺过流保护结构包括:第一级电流镜其包括参考电流源，第一级电流镜用于产生第一级镜像电流；第二级电流镜，以所述第一级镜像电流作为参考电流并产生第二镜像电流；栅极与被保护晶体管栅极连接，并且以所述第二镜像电流作为电流源的保护晶体管；所述电流镜过流保护结构简单易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 cmos 工艺 保护 结构 | ||
【主权项】：
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