[实用新型]一种新型CMOS工艺过流保护结构

权利要求书

1.一种新型CMOS工艺过流保护结构，其特征在于，包括:

第一级电流镜其包括参考电流源，第一级电流镜用于产生第一级镜像电流；

第二级电流镜，以所述第一级镜像电流作为参考电流并产生第二镜像电流；

栅极与被保护晶体管栅极连接，并且以所述第二镜像电流作为电流源的保护晶体管。

2.如权利要求1所述的一种新型CMOS工艺过流保护结构，其特征在于，第一级电流镜包括：源晶体管和镜像晶体管，所述源晶体管与镜像晶体管的栅极连接，源晶体管的栅极与漏极连接。

3.如权利要求2所述的一种新型CMOS工艺过流保护结构，其特征在于，所述第二级电流镜包括：包括源晶体管和镜像晶体管，所述源晶体管与镜像晶体管的栅极连接，所述镜像晶体管的栅极与漏极连接；所述源晶体管的漏极与第一级电流镜的镜像晶体管的漏极连接。

4.如权利要求1所述的一种新型CMOS工艺过流保护结构，其特征在于，还包括连接在所述第一级电流镜输出端的过流指示器，所述过流指示器包括串联的第一反相器和第二反相器。

5.如权利要求1至4任一项所述的一种新型CMOS工艺过流保护结构，其特征在于，所述第一级电流镜的源晶体管和镜像晶体管为NMOS管；所述第二级电流镜的源晶体管和镜像晶体管为PMOS管；所述被保护晶体管和保护晶体管均为NMOS管。

6.如权利要求5所述的一种新型CMOS工艺过流保护结构，其特征在于，所述第一级电流镜的源晶体管和镜像晶体管的源极接地；所述第二级电流镜的源晶体管和镜像晶体管的源极连接电源；所述被保护晶体管和保护晶体管的源极接地串联电阻，所述电阻接地；所述被保护晶体管的漏极连接电源。