[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201922094447.0 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN211062725U | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏 | 申请（专利权）人： | 吴俊鹏;陈纪宇 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾新竹市北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括衬底、外延层、源极、漏极及栅极。外延层设置于衬底上，外延层具有源极区、漏极区及设置于源极区与漏极区之间的沟槽。源极设置于外延层上且对应源极区的位置。漏极设置于外延层上且对应漏极区的位置。栅极设置于源极与漏极之间且设置在外延层的沟槽并突出于外延层的表面。此半导体器件可降低电场而提高崩溃电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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