[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201922094447.0 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN211062725U | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏 | 申请（专利权）人： | 吴俊鹏;陈纪宇 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾新竹市北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
外延层，设置于所述衬底上，所述外延层具有源极区、漏极区及设置于所述源极区与所述漏极区之间的沟槽；
源极，设置于所述外延层上且对应所述源极区的位置；
漏极，设置于所述外延层上且对应所述漏极区的位置；以及
栅极，设置于所述源极与所述漏极之间且设置在所述外延层的所述沟槽并突出于所述外延层的表面。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的深度为10nm～500nm。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的宽度为0.5μm～2μm。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的底部设置厚度为0nm～100nm的外延回长层。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底的材料为硅。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层为三五族材料。
7.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述外延回长层为三五族材料。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层为至少一层选自由氮化铝、氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓及氮化铝铟镓所组成族群的层结构。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述源极、所述漏极、及所述栅极为金属。
10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述衬底为P型衬底。
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