[实用新型]一种新型沟槽IGBT芯片有效
| 申请号： | 201922047732.7 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN210743951U | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 周炳;赵承杰;许新佳 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型沟槽IGBT芯片，包括集电极，集电极上设置有P+集电极区，P+集电极区上设置有N型衬底，N型衬底上设置有N‑场截止层，N‑场截止层上设置有P基区，P基区上设置有P+欧姆接触区，P+欧姆接触区上设置有发射极，P基区和P+欧姆接触区上均设置有N+型源区，N‑场截止层、P基区以及N+型源区上均设置有沟槽，沟槽内设置有栅氧化层，栅氧化层内设置有栅极，发射极与N+型源区、栅氧化层和栅极之间设置有夹层。该新型沟槽IGBT芯片，通过沟槽栅结构结合N型衬底、N‑场截止层和发射极为纵向分布结构，使得总耗能更低，开关行为更加轻柔，并且整体体型也变小，减少占用面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 沟槽 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
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