[实用新型]一种新型沟槽IGBT芯片

权利要求书

1.一种新型沟槽IGBT芯片，包括集电极(1)，其特征在于：所述集电极(1)上设置有P+集电极区(2)，所述P+集电极区(2)上设置有N型衬底(3)，所述N型衬底(3)上设置有N-场截止层(4)，所述N-场截止层(4)上设置有P基区(5)，所述P基区(5)上设置有P+欧姆接触区(6)，所述P+欧姆接触区(6)上设置有发射极(8)，所述P基区(5)和P+欧姆接触区(6)上均设置有N+型源区(9)，所述N-场截止层(4)、P基区(5)以及N+型源区(9)上均设置有沟槽(7)，所述沟槽(7)内设置有栅氧化层(11)，所述栅氧化层(11)内设置有栅极(12)，所述发射极(8)与N+型源区(9)、栅氧化层(11)和栅极(12)之间设置有夹层(10)。

2.根据权利要求1所述的一种新型沟槽IGBT芯片，其特征在于：所述发射极(8)为金属材料制成。

3.根据权利要求1所述的一种新型沟槽IGBT芯片，其特征在于：所述夹层(10)由硼磷硅玻璃材料制成。

4.根据权利要求1所述的一种新型沟槽IGBT芯片，其特征在于：所述N型衬底(3)的厚度不超过0.5微米。

5.根据权利要求1所述的一种新型沟槽IGBT芯片，其特征在于：所述N-场截止层(4)的厚度不超过1.5微米。

6.根据权利要求1所述的一种新型沟槽IGBT芯片，其特征在于：所述P基区(5)的厚度不超过0.8微米。

7.根据权利要求1所述的一种新型沟槽IGBT芯片，其特征在于：所述栅氧化层(11)为氧化硅材料制成。

8.根据权利要求1所述的一种新型沟槽IGBT芯片，其特征在于：所述N型衬底(3)、N-场截止层(4)和发射极(8)为纵向分布结构。