[实用新型]适用于大容量SIM卡芯片的新型LDO电路有效
| 申请号： | 201921974668.0 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN210835769U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 朱永成;霍俊杰;孙志亮 | 申请（专利权）人： | 北京紫光青藤微系统有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区五道*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种适用于大容量SIM卡芯片的新型LDO电路，所述LDO电路包括误差放大器、第一采样电阻、第二采样电阻、第一功率管、电流源VCC、核心电压VDD、控制信号、参考电流、参考电压和状态转换控制电路，其中，状态转换控制电路包括脉冲发生电路和辅助偏置电路；本实用新型的状态转换控制电路利用控制信号，在转换瞬间，控制第一功率管MP1的栅端电压，让第一功率管持续输出足够大的电流，直到所述新型LDO电路状态切换完成，维持核心电压VDD的稳定，规避系统复位的风险。同时，本实用新型的新型LDO电路有效规避了核心电压VDD复位问题，保障了所述新型LDO电路能够快速、及时地响应外部的唤醒命令。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 容量 sim 芯片 新型 ldo 电路 | ||
【主权项】：
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