[实用新型]适用于大容量SIM卡芯片的新型LDO电路有效
| 申请号： | 201921974668.0 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN210835769U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 朱永成;霍俊杰;孙志亮 | 申请（专利权）人： | 北京紫光青藤微系统有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区五道*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 容量 sim 芯片 新型 ldo 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用于大容量SIM卡芯片的新型LDO电路，其特征在于，所述新型LDO电路包括误差放大器、第一采样电阻R1、第二采样电阻R2、第一功率管MP1、电流源VCC、核心电压VDD、控制信号Vsleep、参考电流IB、参考电压Vref和状态转换控制电路，其中，状态转换控制电路包括脉冲发生电路和辅助偏置电路；
脉冲发生电路连接控制信号Vsleep，并产生脉冲信号Vpulse，脉冲信号Vpulse连接并控制辅助偏置电路，辅助偏置电路连接误差放大器的输出端，第一功率管MP1的栅端连接辅助偏置电路。
2.如权利要求1所述的适用于大容量SIM卡芯片的新型LDO电路，其特征在于，所述脉冲发生电路由反相器、电容和或非门构成，反相器连接电容，电容连接或非门。
3.如权利要求1所述的适用于大容量SIM卡芯片的新型LDO电路，其特征在于，所述辅助偏置电路由电流源功率管、开关和电容构成。
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