[实用新型]一种半导体器件及电子装置有效
| 申请号： | 201921970210.8 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN211529957U | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黎子兰 | 申请（专利权）人： | 广东致能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 510700 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开内容提供一种半导体器件，所述器件包括衬底；在所述衬底上形成的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的第一半导体层；所述第一半导体层的侧表面与所述第一绝缘层的上表面斜相交；在所述第一半导体层的侧表面上形成的第二半导体层，在所述第二半导体层的侧表面上形成的第三半导体层，在所述第一至第三半导体层上形成的第四半导体层，所述第四半导体层与第一至第三半导体层的界面处形成二维电荷载流子气。本公开内容有助于实现如下效果之一：器件结构简单、工艺简单、成本低廉以及电性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
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