[实用新型]一种半导体器件及电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

衬底；

在所述衬底第一表面上形成的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成开口露出部分的所述衬底；

在所述开口露出的所述衬底上形成单晶成核层，在所述第一绝缘层上形成多晶或非晶成核材料；

以所述单晶成核层为成核中心，侧向外延生长第一半导体层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，所述衬底选自蓝宝石、ZnO、SiC、AlN、GaAs、LiAlO、GaAlLiO、GaN、Al₂O₃或单晶硅。

3.一种半导体器件，其包括：

硅衬底；

在所述硅衬底的第一表面上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成开口露出部分的所述衬底；

在所述开口对应的所述衬底上形成沟槽；

在所述沟槽内形成单晶成核层；

在所述第一绝缘层上形成多晶或非晶成核材料；

以所述单晶成核层为成核中心，侧向外延生长第一半导体层。

4.如权利要求1或3所述的半导体器件，所述单晶成核层是单晶AlN，所述多晶或非晶成核材料是多晶或非晶AlN。

5.如权利要求1或3所述的半导体器件，所述第一绝缘层为SiO₂层或者Si₃N₄层。

6.如权利要求1或3所述的半导体器件，所述第一半导体层为氮化物半导体层。

7.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述沟槽的深度为0.2-10微米深。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述沟槽的深度约为1微米。

9.如权利要求3所述的半导体器件，其中在所述沟槽和开口的两边侧壁形成绝缘保护层。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述绝缘保护层是SiO₂绝缘保护层。

11.如权利要求1或3所述的半导体器件，其中所述半导体器件是高迁移率晶体管，所述开口对应于所述高迁移率晶体的漏极处。

12.一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底第一表面上形成的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成开口露出部分的所述衬底；

在所述开口露出的所述衬底上形成成核层；

在所述第一绝缘层上形成多晶或非晶成核材料；或者在所述第一绝缘层上不形成成核材料；

以所述成核层为成核中心，侧向外延生长的第一半导体层；

所述第一半导体层的第二表面和第三表面与所述第一绝缘层的第一表面呈一角度；

在所述第一半导体层第二表面和所述第三表面上形成第二半导体层；

在所述第二半导体层第二表面和所述第三表面上形成第三半导体层；

在所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层的第一表面上形成的第四半导体层。