[实用新型]一种基于肖特基结构的沟槽式功率器件有效
| 申请号： | 201921935608.8 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN210607276U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 丁磊;侯宏伟;顾挺 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种基于肖特基结构的沟槽式功率器件，包括N型半导体基片，其上表面开有若干个垂直沟槽，沟槽内壁及其外围设置栅氧化层，沟槽之间的表面下方形成N+注入层，沟槽内填满导电多晶硅，沟槽上方及其外围上覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上覆盖金属层，金属层向下延伸至引线孔内，引线孔与N+注入层之间形成扇状的P+注入层，N+注入层下方、沟槽与P+注入层之间形成扇状的P－注入层。本实用新型的正向压降小，反向恢复损耗低，快关速度高，反向恢复曲线较软，可靠性增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 肖特基 结构 沟槽 功率 器件 | ||
【主权项】：
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