[实用新型]一种基于肖特基结构的沟槽式功率器件有效
| 申请号： | 201921935608.8 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN210607276U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 丁磊;侯宏伟;顾挺 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 肖特基 结构 沟槽 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于肖特基结构的沟槽式功率器件，其特征在于，包括N型半导体基片(1)，定义N型半导体基片(1)的上表面为第一表面，第一表面开有若干个垂直方向上的沟槽(2)，沟槽(2)的内壁及其外围的第一表面上设置有栅氧化层(3)，沟槽(2)之间的第一表面下方形成N+注入层(6)；
沟槽(2)内填满导电多晶硅(4)，沟槽(2)上方及其外围上方均覆盖有绝缘介质层(5)；沟槽(2)及其外围上方的绝缘介质层(5)上覆盖有金属层(9)，金属层(9)向下延伸至引线孔(10)内，所述引线孔(10)贯穿绝缘介质层(5)、沟槽(2)外围的栅氧化层(3)、沟槽(2)外围的N+注入层(6)直至N型半导体基片(1)的上部；
引线孔(10)与N+注入层(6)之间形成扇状的P+注入层(7)，且P+注入层(7)与引线孔(10)、N+注入层(6)均相接触；N+注入层(6)下方、沟槽(2)与P+注入层(7)之间形成扇状的P－注入层(8)，且P－注入层(8)与N+注入层(6)、沟槽(2)、P+注入层(7)均相接触。
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