[实用新型]台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构有效
| 申请号： | 201921934642.3 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN209981219U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/47;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构，包括单晶硅衬底及层叠于单晶硅衬底表面的埋氧层构成的SOI衬底，埋氧层表面顺序层叠有P型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、N型重掺杂Si | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 多晶硅发射区 发射区 金属硅化物薄层 基区电极 台面结构 台面 埋氧层 衬底 刻蚀 帽层 本实用新型 集电区电极 氧化薄膜层 表面覆盖 表面顺序 衬底表面 单晶硅层 电极窗口 硅基工艺 接触区域 截止频率 金属电极 基区层 集电区 肖特基 基区 减小 沉积 兼容 申请 | ||
【主权项】：
1.台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构，其特征在于，包括SOI衬底，所述SOI衬底包括单晶硅衬底及层叠于单晶硅衬底表面的埋氧层，所述埋氧层的表面形成有P型重掺杂单晶硅层，所述P型重掺杂单晶硅层的厚度远大于SOI衬底偏置所导致的该层耗尽厚度，所述P型重掺杂单晶硅层的表面形成有金属硅化物薄层，所述金属硅化物薄层的表面形成有N型重掺杂Si
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