[实用新型]台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构有效
| 申请号： | 201921934642.3 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN209981219U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/47;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 多晶硅发射区 发射区 金属硅化物薄层 基区电极 台面结构 台面 埋氧层 衬底 刻蚀 帽层 本实用新型 集电区电极 氧化薄膜层 表面覆盖 表面顺序 衬底表面 单晶硅层 电极窗口 硅基工艺 接触区域 截止频率 金属电极 基区层 集电区 肖特基 基区 减小 沉积 兼容 申请 | ||
1.台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构，其特征在于，包括SOI衬底，所述SOI衬底包括单晶硅衬底及层叠于单晶硅衬底表面的埋氧层，所述埋氧层的表面形成有P型重掺杂单晶硅层，所述P型重掺杂单晶硅层的厚度远大于SOI衬底偏置所导致的该层耗尽厚度，所述P型重掺杂单晶硅层的表面形成有金属硅化物薄层，所述金属硅化物薄层的表面形成有N型重掺杂Si1-xGex基区层，所述N型重掺杂Si1-xGex基区层的表面形成有P型掺杂单晶硅发射区帽层，所述P型掺杂单晶硅发射区帽层的表面形成有P型重掺杂多晶硅发射区层，所述P型重掺杂多晶硅发射区层至P型掺杂单晶硅发射区帽层刻蚀形成有发射区电极和左右侧基区电极接触台面，所述P型重掺杂多晶硅发射区层至金属硅化物薄层刻蚀形成有左右侧集电区电极接触台面，所述台面结构的整个表面覆盖有氧化薄膜层，所述基区、集电区和中间发射区位置对应的氧化薄膜层刻蚀形成有对应电极接触窗口，且基区窗口下的N型重掺杂Si1-xGex基区层刻蚀形成有基区电极接触区域，所述电极接触窗口上形成有对应金属电极，所述基区电极接触区域里沉积有N型重掺杂Si1-yGey，且0<y<x<1。
2.根据权利要求1所述的台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构，其特征在于，所述埋氧层的厚度为0.5μm。
3.根据权利要求1所述的台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构，其特征在于，所述金属硅化物薄层为5nm厚的CoSi2。
4.根据权利要求1所述的台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构，其特征在于，所述N型重掺杂Si1-xGex基区层的厚度为20-30nm。
5.根据权利要求1所述的台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构，其特征在于，所述P型掺杂单晶硅发射区帽层的厚度为10nm，所述P型重掺杂多晶硅发射区层的厚度为0.5μm。
6.根据权利要求1所述的台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构，其特征在于，所述氧化薄膜层为100nm厚的SiO2氧化层。
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