[实用新型]一种内置肖特基结构的屏蔽栅型半导体功率器件有效
| 申请号： | 201921934303.5 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN210607269U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 丁磊;侯宏伟;顾挺 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种内置肖特基结构的屏蔽栅型半导体功率器件，包括N－基片，其上表面开有若干个垂直沟槽，沟槽外围表面下方形成N+注入层，沟槽内填有绝缘介质层，且绝缘介质层内开有第一空腔和第二空腔，第一空腔、第二空腔内均填满导电多晶硅，沟槽及其外围表面上方覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上覆盖金属层，金属层向下延伸至引线孔内，N+注入层下方、引线孔与沟槽之间形成相邻的P+注入层和P－注入层。本实用新型在续流时少子扩散大大减小，正向压降降低，反向恢复损耗小，快关速度及反向恢复软度提高，可靠性增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内置 肖特基 结构 屏蔽 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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