[实用新型]一种内置肖特基结构的屏蔽栅型半导体功率器件有效
| 申请号： | 201921934303.5 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN210607269U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 丁磊;侯宏伟;顾挺 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 内置 肖特基 结构 屏蔽 半导体 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种内置肖特基结构的屏蔽栅型半导体功率器件，其特征在于，包括N－基片(1)，定义N－基片(1)的上表面为第一表面(2)，第一表面(2)上开有若干个垂直方向上的沟槽(3)，沟槽(3)外围的第一表面下方形成N+注入层(10)；
沟槽(3)内填有绝缘介质层(4)，且绝缘介质层(4)内开有第一空腔(5)和第二空腔(6)，所述第一空腔(5)位于沟槽(3)内中央，两个第二空腔(6)分别位于第一空腔(5)的左右两侧并通过绝缘介质层(4)相隔离，第一空腔(5)、第二空腔(6)内均填满导电多晶硅(7)；
沟槽(3)及其外围的第一表面上方覆盖有绝缘介质层(4)，绝缘介质层(4)上覆盖有金属层(8)，金属层(8)向下延伸至引线孔(9)内，所述引线孔(9)贯穿绝缘介质层(4)、沟槽(3)外围的N+注入层(10)直至N－基片(1)的中部；
N+注入层(10)下方、且位于引线孔(9)与沟槽(3)之间形成相邻的P+注入层(11)和P－注入层(12)，其中，P+注入层(11)贴近引线孔(9)，P－注入层(12)贴近沟槽(3)。
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