[实用新型]氮化镓HEMT的封装结构有效
| 申请号： | 201921898945.4 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN210837732U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 莫锦添;邹艳波;盛健健;姚卫刚 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张静 |
| 地址： | 519080 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓HEMT的封装结构，待封装氮化镓HEMT芯片的栅极位于源极和漏极之间，设置第二导电焊盘、第三导电焊盘以及基盘引脚区位于芯片靠近源极的一侧，第一导电焊盘位于芯片靠近漏极的另一侧，通过第一电连接部件电连接漏极和第一导电焊盘，通过第二电连接部件电连接源极和基盘引脚区，通过第四电连接部件电连接源极和第二导电焊盘，通过第三电连接部件电连接栅极与第三导电焊盘，可以使得芯片各电极之间满足耐压距离；通过第四电连接部件电连接源极和第二导电焊盘，形成开尔文源极，以减小驱动回路的寄生电感；待封装氮化镓HEMT芯片固定且电连接在散热区，提高了封装结构的散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 hemt 封装 结构 | ||
【主权项】：
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