[实用新型]氮化镓HEMT的封装结构

权利要求书

1.一种氮化镓HEMT的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

待封装氮化镓HEMT芯片，所述待封装氮化镓HEMT芯片的正面具有栅极、源极以及漏极；所述栅极位于所述源极以及所述漏极之间；

导电基盘，所述导电基盘具有用于固定所述待封装氮化镓HEMT芯片的散热区和基盘引脚区；

引线框架，所述引线框架上设置有第一导电焊盘、第二导电焊盘以及第三导电焊盘；所述导电基盘与所述引线框架相对固定；

其中，所述第一导电焊盘位于所述待封装氮化镓HEMT芯片具有所述漏极的一侧，所述第二导电焊盘以及所述第三导电焊盘位于所述待封装氮化镓HEMT芯片具有所述源极的一侧；所述待封装氮化镓HEMT芯片的背面与所述散热区固定且电连接；所述漏极通过第一电连接部件与所述第一导电焊盘电连接，所述源极通过第二电连接部件与所述基盘引脚区电连接，所述栅极通过第三电连接部件与所述第三导电焊盘电连接，且所述源极还通过第四电连接部件与所述第二导电焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基盘引脚区、所述第一导电焊盘、所述第二导电焊盘以及所述第三导电焊盘均包括焊接区以及和所述焊接区一体的引脚；

其中，所述第一导电焊盘、所述第二导电焊盘以及所述第三导电焊盘的焊接区和所述引脚连接处均具有弯折部，使得所述焊接区高于所述引脚。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一导电焊盘通过至少一根所述第一电连接部件与所述漏极电连接；

所述第一导电焊盘包括：漏极焊接区以及和所述漏极焊接区一体的至少一个漏极引脚；

其中，所述漏极焊接区通过所述第一电连接部件与所述漏极电连接。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基盘引脚区通过至少一根所述第二电连接部件与所述源极电连接，所述第二导电焊盘通过一根所述第四电连接部件与所述源极电连接；

所述基盘引脚区包括：源极焊接区以及和所述源极焊接区一体的至少一个源极引脚；其中，所述源极焊接区通过所述第二电连接部件与所述源极电连接；

所述第二导电焊盘包括：开尔文源极焊接区和一个开尔文源极；其中，所述开尔文源极焊接区通过所述第四电连接部件与所述源极电连接。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第三导电焊盘通过一根所述第三电连接部件与所述栅极电连接。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第三导电焊盘包括：栅极焊接区和一个栅极引脚；

其中，所述栅极焊接区通过所述第三电连接部件与所述栅极电连接。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述待封装氮化镓HEMT芯片的背面通过软焊料与所述散热区固定。

8.根据权利要求1-7任一项所述的封装结构，其特征在于，还包括：对所述待封装氮化镓HEMT芯片进行密封保护的封装层，所述封装层覆盖所述待封装氮化镓HEMT芯片以及各电连接部件。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述封装层为环氧树脂层。