[实用新型]一种插拔式高真空蒸发源有效
| 申请号： | 201921895650.1 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN211112190U | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 郭方准 | 申请（专利权）人： | 大连齐维科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/26 | 分类号： | C23C14/26;C23C14/12;C23C14/54 |
| 代理公司： | 大连瑞博晟知识产权代理有限公司 21259 | 代理人： | 佟昆 |
| 地址： | 116000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及超高真空设备领域，特别涉及一种插拔式高真空蒸发源。一种插拔式高真空蒸发源，包括插拔式底座和蒸发源主体，蒸发源主体与插拔式底座插拔式连接，蒸发源主体设置有加热机构，加热机构下端设置有测温机构，蒸发源还包括屏蔽机构，屏蔽机构开合式置于蒸发源主体进料口的上方。本实用新型插拔式结构紧凑，方便蒸发源的安装和拆卸以及源材料的装填和更换，且便于加热丝的维护，单个蒸发源均设有加热机构和屏蔽机构，可在真空腔室内部安装有多个装有不同材料的蒸发源，实现在一个基板上依次镀多种不同的材料，简化多种材料的镀膜步骤，保证镀膜质量，满足超高真空环境下样品的蒸发需求，温控范围为50℃‑600℃，便于加工及推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 插拔式高 真空 蒸发 | ||
【主权项】：
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