[实用新型]一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜有效
| 申请号： | 201921662305.3 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN210926030U | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张一源;候成成;管自生;印越 | 申请（专利权）人： | 南京纳鑫新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人： | 石磊 |
| 地址： | 211100 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜，包括第一折射层、第二折射层和第三折射层；第一折射层设于第三折射层的下方，第二折射层设于第一折射层和第三折射层之间，第一折射层、第二折射层和第三折射层的折射率依次降低；本实用新型提高了钝化效果，进而在保持较低反射率的前提下提高了电池转换效率，并具有非常优良的抗PID衰减特性，且制备简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pid 抗性 钝化 减反射膜 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
