[实用新型]一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜

说明书

本实用新型涉及一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜，包括第一折射层、第二折射层和第三折射层；第一折射层设于第三折射层的下方，第二折射层设于第一折射层和第三折射层之间，第一折射层、第二折射层和第三折射层的折射率依次降低；本实用新型提高了钝化效果，进而在保持较低反射率的前提下提高了电池转换效率，并具有非常优良的抗PID衰减特性，且制备简单方便。

技术领域

本实用新型涉及一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜。

背景技术

传统太阳能多晶硅电池表面的SiNx钝化减反射膜几乎都因折射率较低使得PID衰减较为严重；目前市场为了追求优良的抗PID衰减特性，主要方法是通过提高SiNx膜层的折射率来实现，但电池转换效率较常规工艺降低1-2％；还有方法就是使用紫外电离、高频臭氧发生器生成的臭氧O3氧化硅片表面，生成较薄的SiOx层或使用笑气N2O PECVD法直接在硅片表面沉积一层SiOx薄膜，使电池具有一定的PID抗性，但是也导致电池转换效率较低，有待于进一步改进。

实用新型内容

针对上述现有技术的现状，本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种提高了钝化效果，进而在保持较低反射率的前提下提高了电池转换效率，并具有非常优良的抗PID衰减特性，且制备简单方便的高PID抗性的晶硅钝化减反射膜。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜，包括第一折射层、第二折射层和第三折射层，其特征在于，所述第一折射层设于第三折射层的下方，所述第二折射层设于第一折射层和第三折射层之间，所述第一折射层和第二折射层为SiNx层，所述第三折射层为SiOxNy层，所述第一折射层、第二折射层和第三折射层的折射率依次降低；所述第一折射层的厚度为5～25nm；所述第二折射层的厚度为25～50nm；所述第三折射层的厚度为10～50nm。

优选地，所述第一折射层的折射率为2.2～2.45。

优选地，所述第二折射层的折射率为1.90～2.2。

优选地，所述第三折射层的折射率为1.5～1.8。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型提高了钝化效果，进而在保持较低反射率的前提下提高了电池转换效率，并具有非常优良的抗PID衰减特性，且制备简单方便。

附图说明

图1为本实用新型的结构图。

具体实施方式

如图1所示，一种高PID抗性的晶硅钝化减反射膜，包括第一折射层1、第二折射层2和第三折射层3；第一折射层1设于第三折射层3的下方，第二折射层2设于第一折射层1和第三折射层3之间，第一折射层1和第二折射层2为SiNx层，第三折射层3为SiOxNy层，第一折射层1、第二折射层2和第三折射层3的折射率依次降低；第一折射层1的折射率为2.2～2.45，厚度为5～25nm；第二折射层2的折射率为1.90～2.2，厚度为25～50nm；第三折射层3的折射率为1.5～1.8，厚度为10～50nm。

制备步骤如下：

(1)将硅片进行扩散和刻蚀等工艺；

(2)刻蚀后硅片进入PECVD炉体后，通入流量为3SLPM氧气2min，直接升温15min，待温度达到450℃再抽空；

(3)再在硅片表面依次沉积折射率按一定规律依次降低的第一折射层1、第二折射层2和第三折射层3；

(4)使用传统电池印刷工艺印刷背电极、铝背场、正栅线和正电极，并烧结。

经过检测发现，本方案中的钝化减反射膜的光电转换效率增大且PID抗性有较大的提升。具体数据见下表1：

表1本实施例获得的太阳能电池的光电转换效率及PID