[实用新型]芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片有效

专利信息
申请号: 201921616504.0 申请日: 2019-09-26
公开(公告)号: CN210796602U 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 周新华 申请(专利权)人: 襄阳赛普尔电子有限公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/24;C23C14/18
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 周琼
地址: 441000 湖北省襄*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型涉及芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片,包括设于芯片上的硅片一侧的挡片本体,所述挡片本体包括外部的环形支撑片和中间用于遮住芯片上光刻图案的遮挡部,所述中间的遮挡部与外部的环形支撑片之间通过若干条凸起的筋连接在一起。本实用新型提出的芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片,在铝蒸发时可以很好的保护芯片上的光刻图案,避免蒸上铝,省去了后续的二次光刻工艺,减少了工序成本和时间成本。
搜索关键词: 芯片 二次 光刻 蒸发 保护
【主权项】:
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