[实用新型]芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片

说明书

本实用新型涉及芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，包括设于芯片上的硅片一侧的挡片本体，所述挡片本体包括外部的环形支撑片和中间用于遮住芯片上光刻图案的遮挡部，所述中间的遮挡部与外部的环形支撑片之间通过若干条凸起的筋连接在一起。本实用新型提出的芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，在铝蒸发时可以很好的保护芯片上的光刻图案，避免蒸上铝，省去了后续的二次光刻工艺，减少了工序成本和时间成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别是涉及芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片。

背景技术

铝蒸发是芯片制作过程中极为重要的工艺，该工艺的优劣会直接关系到芯片的成品率及后续成品的可靠性，目前现有的芯片制造工艺流程中，由于铝蒸发会导致芯片中间的光刻图案无法保护，蒸上铝，在蒸发后需要二次光刻剥离残留的铝，增加了后续的工序成本和时间成本。

实用新型内容

为了克服现有技术的上述不足，本实用新型提出了芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，解决现有芯片在蒸发时无法保护光刻图案，需要二次光刻增加成本的技术问题。

本实用新型是通过以下技术方案实现的：

芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，包括设于芯片上的硅片一侧的挡片本体，所述挡片本体包括外部的环形支撑片和中间用于遮住芯片上光刻图案的遮挡部，所述中间的遮挡部与外部的环形支撑片之间通过若干条凸起的筋连接在一起。

进一步的，所述中间的遮挡部与外部的环形支撑片在同一平面。

进一步的，所述芯片包括钼片、硅片及设于所述钼片、硅片之间的铝箔，所述硅片上设有用于放置挡片本体的定位环，当所述挡片本体放在定位环内时，所述挡片本体的各个侧壁均与所述定位环的环壁紧密贴合。

进一步的，所述中间的遮挡部与外部的环形支撑片之间通过三条凸起的筋连接在一起。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

本实用新型提出的芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，在铝蒸发时可以很好的保护芯片上的光刻图案，避免蒸上铝，省去了后续的二次光刻工艺，减少了工序成本和时间成本。

附图说明

图1为本实用新型实施例所述的芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片的结构示意图；

图2为本实用新型实施例所述的芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片应用到芯片上的结构示意图；

图3为本实用新型实施例所述芯片的正视图；

图4为本实用新型实施例所述芯片的俯视图。

图中：

1、挡片本体；2、环形支撑片；3、遮挡部；4、凸起的筋；5、芯片；6、光刻图案；7、硅片；8、铝箔；9、钼片；10、硅橡胶。

具体实施方式

展示一下实例来具体说明本实用新型的某些实施例，且不应解释为限制本实用新型的范围。对本实用新型公开的内容可以同时从材料、方法和反应条件进行改进，所有这些改进，均应落入本实用新型的的精神和范围之内。

如图1-4所示，芯片省二次光刻蒸发用的保护挡片，包括设于芯片5上的硅片7一侧的挡片本体1，所述挡片本体1包括外部的环形支撑片2和中间用于遮住芯片5上光刻图案6的遮挡部3，所述中间的遮挡部3与外部的环形支撑片2之间通过三条凸起的筋4连接在一起，所述中间的遮挡部3与外部的环形支撑片2在同一平面，厚度为0.2mm；所述凸起的筋4宽度为0.5-0.8mm，高度为1-1.5mm。