[实用新型]去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置有效

专利信息
申请号: 201921539238.6 申请日: 2019-09-17
公开(公告)号: CN211078488U 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 金向华;侯倩;王新喜;孙猛;温海涛;张红敏;刘晶 申请(专利权)人: 苏州金宏气体股份有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人: 陆金星
地址: 215152 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置,包括设有通道的箱体、驱动四氟化硅气体流经通道的风机组件、以及对流经通道的四氟化硅气体进行过滤的过滤组件,过滤组件包括沿四氟化硅气体输送方向依次设置的用于吸附水和二氧化碳的第一吸附机构和用于吸附二氧化碳和氟化氢的第二吸附机构,第一吸附机构包括分子筛,第二吸附机构包括吸附板,吸附板包括孔板和涂覆于孔板表面的共价三嗪环骨架材料层。本实用新型中,由于共价三嗪环骨架具有丰富的氮原子骨架和稳定的化学结构,可有有效吸附四氟化硅气体中的二氧化碳和氟化氢,以提高高纯SiF4气体的纯度。
搜索关键词: 去除 高纯 氟化 气体 二氧化碳 氟化氢 装置
【主权项】:
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