[实用新型]去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置有效
| 申请号: | 201921539238.6 | 申请日: | 2019-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN211078488U | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
| 发明(设计)人: | 金向华;侯倩;王新喜;孙猛;温海涛;张红敏;刘晶 | 申请(专利权)人: | 苏州金宏气体股份有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
| 代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
| 地址: | 215152 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 去除 高纯 氟化 气体 二氧化碳 氟化氢 装置 | ||
1.一种去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置,包括设有通道的箱体、驱动四氟化硅气体流经所述通道的风机组件、以及对流经所述通道的四氟化硅气体进行过滤的过滤组件,其特征在于,所述过滤组件包括沿四氟化硅气体输送方向依次设置的用于吸附水和二氧化碳的第一吸附机构和用于吸附二氧化碳和氟化氢的第二吸附机构,所述第一吸附机构包括分子筛,所述第二吸附机构包括吸附板,所述吸附板包括孔板和涂覆于所述孔板表面的共价三嗪环骨架材料层。
2.如权利要求1所述的去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置,其特征在于,所述共价三嗪环骨架材料层为带电共价三嗪环骨架材料层。
3.如权利要求1所述的去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置,其特征在于,所述共价三嗪环骨架材料层为咔唑基共价三嗪环骨架材料层。
4.如权利要求1所述的去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置,其特征在于,所述第二吸附机构包括间隔距离布置的多道所述吸附板。
5.如权利要求4所述的去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置,其特征在于,所述第二吸附机构包括四道所述吸附板。
6.如权利要求1所述的去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置,其特征在于,所述分子筛为13X分子筛。
7.如权利要求1所述的去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置,其特征在于,所述箱体的侧壁设有允许所述分子筛沿其径向进出所述通道的取放口A、允许所述吸附板沿其径向进出所述通道的取放口B、可开启的密封所述取放口A的取放门A以及可开启的密封所述取放口B的取放门B。
8.如权利要求1所述的去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置,其特征在于,所述箱体呈筒状,包括中间筒段和设于所述中间筒段轴向两端的端部筒段,所述中间筒段沿其轴向各处径向尺寸相同,所述端部筒段沿渐近所述中间筒段的轴向,其径向尺寸逐渐增大,所述过滤组件设于所述中间筒段中。
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