[实用新型]一种UV LED外延结构有效
| 申请号： | 201921520905.6 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN210245534U | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李志聪;曹俊文;戴俊;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种UV LED外延结构，涉及LED外延生长技术领域和近紫外UV LED固化技术领域，自下而上包括：衬底、缓冲层、非故意掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层，多量子阱有源层包括多量子阱有源层第一、第二和第三发光层。本实用新型将三种UV波长集成在单个LED芯片上，能够有效克服现有技术的缺点。当LED芯片在正向导通时，三组量子阱层发射不同波长的紫外光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 uv led 外延 结构 | ||
【主权项】：
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