[实用新型]一种UV LED外延结构有效
| 申请号： | 201921520905.6 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN210245534U | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李志聪;曹俊文;戴俊;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 uv led 外延 结构 | ||
1. 一种UV LED外延结构，自下而上包括：衬底、缓冲层、非故意掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层；其特征在于：所述多量子阱有源层包括多量子阱有源层第一发光层、多量子阱有源层第二发光层和多量子阱有源层第三发光层；所述多量子阱有源层第一发光层、多量子阱有源层第二发光层和多量子阱有源层第三发光层横向分布于所述n型掺杂AlGaN层上；所述电子阻挡层横向分布于所述多量子阱有源层第一发光层、多量子阱有源层第二发光层和多量子阱有源层第三发光层上。
2.根据权利要求1所述UV LED外延结构，其特征在于：所述多量子阱有源层第一发光层由5～15对第一发光量子阱Inx1Ga1-x1N和第一发光量子势垒AlyGa1-yN组成，其中，x1为0～0.02，y为0～0.2。
3.根据权利要求1所述UV LED外延结构，其特征在于：所述多量子阱有源层第二发光层由5～15对第二发光量子阱Inx2Ga1-x2N和第二发光量子势垒AlyGa1-yN组成，其中，x2为0.02～0.04，y为0～0.2。
4.根据权利要求1所述UV LED外延结构，其特征在于：所述多量子阱有源层第三发光层由5～15对第三发光量子阱Inx3Ga1-x3N和第三发光量子势垒AlyGa1-yN组成，其中，x3为0.04～0.07，y为0～0.2。
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