[实用新型]一种倒装LED芯片外延结构及LED芯片有效
申请号: | 201921515622.2 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN210576005U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 崔永进;秦明惠;张新朝;庄家铭 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种倒装LED芯片外延结构,其包括:衬底;设于所述衬底上的第一折射层;设于所述第一折射层上的第二折射层;设于所述第二折射层上的第三折射层;设于所述第第三折射层上的第一半导体层;设于所述第一半导体层的有源层;和设于所述有源层上的第二半导体层;其中,所述衬底的折射率<第一折射层的折射率<第二折射层的折射率<第三折射层的折射率<第一半导体层的折射率。本实用新型还公开了一种倒装LED芯片。本实用新型在衬底表面制备了折射率依次升高的多个折射层,大幅度降低了衬底对有源层发出的光的全反射效应,从而增加了倒装LED芯片的光提取效率,提升了倒装LED芯片的亮度。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒装 led 芯片 外延 结构 | ||
【主权项】:
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