[实用新型]一种倒装LED芯片外延结构及LED芯片有效
| 申请号： | 201921515622.2 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN210576005U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 崔永进;秦明惠;张新朝;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 外延 结构 | ||
1.一种倒装LED芯片外延结构，其特征在于，包括：
衬底；
设于所述衬底上的第一折射层；
设于所述第一折射层上的第二折射层；
设于所述第二折射层上的第三折射层；
设于所述第三折射层上的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
其中，所述衬底的折射率＜第一折射层的折射率＜第二折射层的折射率＜第三折射层的折射率＜第一半导体层的折射率。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片外延结构，其特征在于，所述衬底为氧化铝衬底，所述第一折射层为AlN层，所述第二折射层为AlGaN层，所述第三折射层为GaN层。
3.如权利要求1所述的倒装LED芯片外延结构，其特征在于，所述第一半导体层为N-GaN层，所述第二半导体层为P-GaN层。
4.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片外延结构，其特征在于，所述第一折射层、第二折射层、第三折射层的厚度为
5.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片外延结构，其特征在于，所述第一折射层通过磁控溅射法或等离子增强化学气相沉积法形成；所述第二折射层、第三折射层金属有机化合物化学气相沉积法形成。
6.如权利要求1所述的倒装LED芯片外延结构，其特征在于，所述第一半导体层的厚度为4～5μm；其采用金属有机化合物化学气相沉积法形成。
7.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：
如权利要求1～6任一项所述的外延结构；
设于所述外延层上的透明导电层；
设于所述透明导电层上的第一电极和第二电极；
设于所述第一电极和第二电极上的绝缘保护层；
设于所述绝缘保护层上的反射层；和
设于所述反射层上的第一电极粘附层和第二电极粘附层；
其中，所述第一电极通过贯穿所述反射层和绝缘保护层的第一孔洞与所述第一电极粘附层形成电连接；所述第二电极通过贯穿所述反射层和绝缘保护层的第二孔洞与所述第二电极粘附层形成电连接。
8.如权利要求7所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层由氧化铟锡制成；其通过磁控溅射法形成。
9.如权利要求7所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘保护层由SiO2或SiNx制成。
10.如权利要求7所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层包括至少一层SiO2层和至少一层Ti3O5层。
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