[实用新型]一种管状磁控溅射源、磁控溅射单元及镀膜系统有效

专利信息
申请号: 201921420699.1 申请日: 2019-08-29
公开(公告)号: CN211367711U 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 王君 申请(专利权)人: 合肥赉晟科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/56
代理公司: 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 代理人: 段晓微
地址: 230000 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开了一种管状磁控溅射源,在溅射管体内部形成镀膜空间,磁控溅射放电与空心阴极放电相耦合,使得等离子体密度增大,从而提高沉积速率,同时磁体单元的第一磁体和第二磁体沿镀膜空间周向分布,在溅射管体侧壁产生沿周向延伸的磁力线,有效避免磁力线沿轴向分布引起的轴向膜厚不均的问题,有效提高溅射均匀性。本实用新型还提出一种磁控溅射单元,通过转动工件架与上述管状磁控溅射源配合,弥补了磁力线周向延伸造成的磁场周向起伏,大大提高镀层厚度的均匀性。本实用新型还提出一种磁控溅射镀膜系统。
搜索关键词: 一种 管状 磁控溅射 单元 镀膜 系统
【主权项】:
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