[实用新型]二极管、半导体结构、栅控二极管和MOS晶体管有效
| 申请号： | 201921412850.7 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN210866189U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | V·K·沙马 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及二极管、半导体结构、栅控二极管和MOS晶体管。公开了一种具有减小的寄生电容的二极管。特别地，公开了用于提供RF电路对诸如ESD、电压尖峰、电涌或其他噪声之类的高功率噪声事件的快速响应保护的二极管。与现有技术相比，所公开的电路中的寄生电容大大减小，因此显著地增加了用于消散所有高功率噪声事件的响应的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 半导体 结构 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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