[实用新型]二极管、半导体结构、栅控二极管和MOS晶体管

权利要求书

1.一种二极管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

阴极区域，被定位于所述半导体衬底中；

阳极区域，被定位于所述半导体衬底中并且包围所述阴极区域，所述阳极区域与所述阴极区域间隔开选定距离；

第一绝缘层，直接在所述半导体衬底上方；

阴极电极，具有直接覆盖整个阴极区域的占地面积，所述阴极电极由第一金属层构成并与所述阴极电接触；

阳极电极，具有与所述阳极区域基本相同的占地面积并且直接覆盖整个阳极区域，所述阳极电极由与所述阳极电接触的所述第一金属层构成；

第二绝缘层，直接在所述阴极电极和所述阳极电极的第一金属层上方；

第二金属层，在所述第二绝缘层上，所述第二金属层具有第一部分和多个第二部分，所述第一部分直接覆盖整个阴极电极，每个部分具有选定宽度，每个第二部分以选定距离彼此间隔开；每个第二部分具有直接覆盖所述阳极电极的区域和在不存在所述阳极电极的位置覆盖所述衬底的区域。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第二金属层的所述第二部分之间的所述选定距离基于所述半导体衬底中的二极管电路的设计参数。

3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第二金属具有阴极电压供应部分，所述阴极电压供应部分从所述阴极电极延伸到电压供应节点，所述阴极电压供应部分直接覆盖所述阳极和所述阳极电极的一部分。

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第二金属的所述第一部分仅覆盖整个阴极电极，并且不具有覆盖所述阳极电极的所述第一金属层的任何部分。

5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述阳极区域完全包围所述阴极区域。

6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述阳极区域仅包围所述阴极区域，并且在所述第二金属层的所述第一部分直接下方的位置不包围所述阴极区域。

7.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述阳极区域仅包围所述阴极区域，并且不沿所述阴极的较短尺度包围。

8.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述阳极电极具有与所述阳极区域完全相同的占地面积。

9.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述阳极电极仅具有与所述阳极区域基本相同的占地面积，并且在所述阴极电极的所述第二金属层覆盖所述阳极的位置处不覆盖所述阳极。

10.一种二极管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

阴极区域，被定位于所述半导体衬底中；

阳极区域，被定位于所述半导体衬底中并且包围所述阴极区域，所述阳极区域与所述阴极区域间隔开选定距离；

第一绝缘层，直接在所述半导体衬底上方；

阴极电极，具有与所述阴极区域基本相同的占地面积，所述阴极电极直接覆盖整个阴极区域，所述阴极电极由第一金属层构成；

阳极电极，具有多个彼此间隔开的部分，每个阳极电极部分具有选定宽度并且基于所述半导体衬底中的所述二极管的设计参数以选定距离彼此间隔开；每个所述阳极电极部分与所述阳极电接触并由所述第一金属层构成；

第二绝缘层，在所述阴极电极和所述阳极电极上方；

第二金属层，在所述第二绝缘层上，所述第二金属层具有第一部分和多个第二部分，所述第一部分直接覆盖整个阴极电极，每个部分具有所述选定宽度，每个第二部分以所述选定距离彼此间隔开；每个所述第二部分具有直接覆盖所述阳极电极的区域；

第三绝缘层，在所述第二金属层上方；以及

第三金属层，在所述第三绝缘层上，所述第三金属层具有：多个第一部分，所述多个第一部分直接覆盖在所述阳极电极上方覆盖的所述第二金属层的选定位置，每个第一部分在所述阳极上方以选定距离彼此间隔开；以及作为连续构件的第二部分，直接覆盖所述阴极上方的所述第二金属层的所有所述第二部分，所述第二金属层的所述第二部分被电连接到所述第三金属层。