[实用新型]一种硅差压传感器有效
| 申请号： | 201921356727.8 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN210464778U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 王国益;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 上海自优仪器仪表有限公司 |
| 主分类号： | G01L19/06 | 分类号： | G01L19/06;G01L13/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹;王文颖 |
| 地址： | 201612 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅差压传感器，其特征在于，包括相邻的高压侧基座、低压侧基座，高压侧基座或低压侧基座上设有陶瓷部件、压力敏感芯片，高压侧基座与压力敏感芯片、高压侧隔离膜片、过载保护膜片等之间构成用于填充高压侧充灌液的高压腔路径，低压侧基座与压力敏感芯片、低压侧隔离膜片、过载保护膜片等之间构成用于填充低压侧充灌液的低压腔路径；高压侧隔离膜片、高压侧基座、过载保护膜片、低压侧基座、低压侧隔离膜片、导油管部件、芯片管座及环部件之间的全焊接结构，该全焊接结构与高低压侧充灌液的共同作用，使硅差压传感器具有可靠的单向压力过载保护及高静压功能，提高了硅差压传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅差压 传感器 | ||
【主权项】：
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