[实用新型]一种硅差压传感器有效

专利信息
申请号: 201921356727.8 申请日: 2019-08-20
公开(公告)号: CN210464778U 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 王国益;其他发明人请求不公开姓名 申请(专利权)人: 上海自优仪器仪表有限公司
主分类号: G01L19/06 分类号: G01L19/06;G01L13/00
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 翁若莹;王文颖
地址: 201612 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅差压 传感器
【说明书】:

本实用新型公开了一种硅差压传感器,其特征在于,包括相邻的高压侧基座、低压侧基座,高压侧基座或低压侧基座上设有陶瓷部件、压力敏感芯片,高压侧基座与压力敏感芯片、高压侧隔离膜片、过载保护膜片等之间构成用于填充高压侧充灌液的高压腔路径,低压侧基座与压力敏感芯片、低压侧隔离膜片、过载保护膜片等之间构成用于填充低压侧充灌液的低压腔路径;高压侧隔离膜片、高压侧基座、过载保护膜片、低压侧基座、低压侧隔离膜片、导油管部件、芯片管座及环部件之间的全焊接结构,该全焊接结构与高低压侧充灌液的共同作用,使硅差压传感器具有可靠的单向压力过载保护及高静压功能,提高了硅差压传感器的性能。

技术领域

本实用新型涉及一种硅差压传感器,属于压力传感器技术领域。

背景技术

硅差压传感器是工业仪器仪表设备用传感器中的一种,其为采用硅压力敏感芯片的差压传感器。硅差压传感器是一类压力变送器的组成部分,而压力变送器是重要的工业仪器仪表。

硅差压传感器采用压力敏感芯片感测来自工业生产过程的差压信号,一般情况下,不仅传感器结构复杂,而且由于压力敏感芯片抗单向过载压力能力低,因此不能有效承受单向过载压力及高静压。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是:现有硅差压传感器结构复杂,不能有效承受单向过载压力及高静压。

为了解决上述问题,本实用新型提供了一种硅差压传感器,其特征在于,包括相邻的高压侧基座、低压侧基座,高压侧基座、低压侧基座外侧分别设有高压侧隔离膜片、低压侧隔离膜片,高压侧基座与低压侧基座之间设有过载保护膜片,高压侧基座或低压侧基座上部设有凹槽,该凹槽内设有陶瓷部件,陶瓷部件内设有压力敏感芯片,压力敏感芯片、陶瓷部件与其上方的芯片管座粘接,芯片管座通过环部件固定于该凹槽内;压力敏感芯片与穿设于芯片管座上的充灌小管二连接,充灌小管二与导油管部件连通,导油管部件上设有充灌支管;高压侧基座与芯片管座、压力敏感芯片及其两侧的高压侧隔离膜片、过载保护膜片之间构成高压腔路径,高压腔路径内填充有高压侧充灌液;低压侧基座与导油管部件、充灌小管二、压力敏感芯片及其两侧的低压侧隔离膜片、过载保护膜片之间构成低压腔路径,低压腔路径内填充有低压侧充灌液;芯片管座上设有充灌小管一,充灌小管一与压力敏感芯片、陶瓷部件两者之间的缝隙连通;高压侧隔离膜片、高压侧基座、过载保护膜片、低压侧基座、低压侧隔离膜片、导油管部件、芯片管座及环部件之间焊接连接。

优选地,所述导油管部件与芯片管座上的充灌小管二焊接连接。

当过载的过程压力仅作用于硅差压传感器的高压侧一侧时,过载保护膜片向低压侧弯曲位移,使高压侧隔离膜片与高压侧基座之间的充灌液减少,当高压侧隔离膜片与高压侧基座完全贴合时,更高的高压侧单向压力仅能作用于高压侧基座上,并不能进一步传递作用于高压侧充灌液之上,因而也就不能再传递作用到压力敏感芯片之上,从而保护了压力敏感芯片,实现了高压侧单向压力的过载保护。同理,也可实现低压侧单向压力的过载保护。

本实用新型的有益效果是:实现了高低压侧隔离膜片、高低压侧基座、过载保护膜片、导油管部件、环部件及芯片管座之间的全焊接连接,该全焊接结构与高低压侧充灌液的共同作用,使硅差压传感器具有可靠的单向压力过载保护及高静压功能,提高了硅差压传感器的性能。

附图说明

图1为实施例提供的硅差压传感器的剖视图。

具体实施方式

为使本实用新型更明显易懂,兹以优选实施例,并配合附图作详细说明如下。

实施例

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