[实用新型]一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构有效
| 申请号： | 201921214481.0 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN210073765U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 林志东;房育涛;刘波亭;林云昊;许燕丽;张恺玄 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、AlGaN双异质结高阻缓冲层和GaN层：所述AlGaN双异质结高阻缓冲层中包含两个以上的AlGaN异质结结构，其中，每个周期的异质结结构中包括两层AlGaN层，其中一层的厚度范围为100‑1000nm；另一层的厚度范围为1‑99nm。本实用新型能够减小AlGaN层的背景电子浓度和增加电子垂直方向散射从而实现高阻缓冲层的生长，获得高质量的GaN基缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 高阻缓冲层 双异质结 本实用新型 异质结结构 层叠设置 外延结构 成核层 缓冲层 散射 衬底 减小 两层 生长 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，其特征在于：包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、AlGaN双异质结高阻缓冲层和GaN层：所述AlGaN双异质结高阻缓冲层中包含两个以上的异质结结构，其中，每个周期的异质结结构中包括两层AlGaN层，其中一层的厚度范围为100-1000nm；另一层的厚度范围为1-99nm。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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