[实用新型]一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构有效
| 申请号： | 201921214481.0 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN210073765U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 林志东;房育涛;刘波亭;林云昊;许燕丽;张恺玄 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高阻缓冲层 双异质结 本实用新型 异质结结构 层叠设置 外延结构 成核层 缓冲层 散射 衬底 减小 两层 生长 | ||
1.一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，其特征在于：包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、AlGaN双异质结高阻缓冲层和GaN层：所述AlGaN双异质结高阻缓冲层中包含两个以上的异质结结构，其中，每个周期的异质结结构中包括两层AlGaN层，其中一层的厚度范围为100-1000nm；另一层的厚度范围为1-99nm。
2.根据权利要求1所述的一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，其特征在于：所述异质结结构为具有薄势垒的异质结。
3.根据权利要求2所述的一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，其特征在于：两层AlGaN层分别是AlaGa1-aN层和AlbGa1-bN层，所述AlaGa1-aN层为低Al组分层，所述AlbGa1-bN层为高Al组分层。
4.根据权利要求1所述的一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，其特征在于：所述异质结结构为具有薄势阱的异质结。
5.根据权利要求4所述的一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，其特征在于：两层AlGaN层分别是AlaGa1-aN层和AlbGa1-bN层，所述AlaGa1-aN层为高Al组分层，所述AlbGa1-bN层为低Al组分层。
6.根据权利要求1所述的一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，其特征在于：所述异质结结构还包括Al组分递增层和/或Al组分递减层，位于两层AlGaN层之间。
7.根据权利要求1所述的一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，其特征在于：AlGaN双异质结高阻缓冲层数量为一组或者多组。
8.根据权利要求1所述的一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，其特征在于：所述异质结结构周期的个数为2-100个。
9.根据权利要求1所述的一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，其特征在于：所述成核层具体为AlN成核层。
10.根据权利要求1所述的一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，其特征在于：所述衬底具体为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或者硅衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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