[实用新型]一种高耐压高散热性能的SOI结构有效
| 申请号： | 201921196861.6 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN210245484U | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张亮;汪小知;曾翔宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L27/12 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高耐压高散热性能的SOI结构。包括由上至下依次排列的顶层硅、复合绝缘层和背衬底，复合绝缘层主要由二氧化硅层、氮化硼层、氧化铪层和位于两侧的氟氧化硅层复合结构组成，顶层硅主要由第一硅片层组成，背衬底主要由硅层和第二硅片层组成；二氧化硅层上面布置为第一硅片层，二氧化硅层下表面中央为氮化硼层，氮化硼层下面布置为氧化铪层，氧化铪层下面布置为硅层，氮化硼层和氧化铪层两侧的二氧化硅层和硅层之间均布置有氟氧化硅层。本实用新型结构能帮助提高了器件的耐压性能，提高SOI的散热性能，同时提高SOI的绝缘性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 散热 性能 soi 结构 | ||
【主权项】：
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