[实用新型]一种高耐压高散热性能的SOI结构有效

申请号：	201921196861.6	申请日：	2019-07-26
公开（公告）号：	CN210245484U	公开（公告）日：	2020-04-03
发明（设计）人：	张亮;汪小知;曾翔宇	申请（专利权）人：	浙江大学
主分类号：	H01L23/373	分类号：	H01L23/373;H01L27/12
代理公司：	杭州求是专利事务所有限公司 33200	代理人：	林超
地址：	310058 浙江***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	一种耐压散热性能 soi 结构
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【权利要求书】：

1.一种高耐压高散热性能的SOI结构，包括由上至下依次排列的顶层硅、复合绝缘层和背衬底，其特征在于：所述复合绝缘层主要由二氧化硅层(2)、氮化硼层(3)、氧化铪层(4)和位于两侧的氟氧化硅层(7)复合结构组成，所述顶层硅主要由第一硅片层(1)组成，所述背衬底主要由硅层(5)和第二硅片层(6)组成；二氧化硅层(2)上面布置为第一硅片层(1)，二氧化硅层(2)下表面中央为氮化硼层(3)，氮化硼层(3)下面布置为氧化铪层(4)，氧化铪层(4)下面布置为硅层(5)，氮化硼层(3)和氧化铪层(4)两侧的二氧化硅层(2)和硅层(5)之间均布置有氟氧化硅层(7)。

2.根据权利要求1所述的一种高耐压高散热性能的SOI结构，其特征在于：

所述的氮化硼层(3)位于氧化铪层(4)上面的中央。

3.根据权利要求1所述的一种高耐压高散热性能的SOI结构，其特征在于：

所述二氧化硅层(2)的厚度为10nm。

4.根据权利要求1所述的一种高耐压高散热性能的SOI结构，其特征在于：

所述氮化硼层(3)的厚度为300nm。

5.根据权利要求1所述的一种高耐压高散热性能的SOI结构，其特征在于：

所述氧化铪层(4)的厚度为300nm。

6.根据权利要求1所述的一种高耐压高散热性能的SOI结构，其特征在于：

所述背衬底主要由硅层(5)与第二硅片层(6)组成。

7.根据权利要求1所述的一种高耐压高散热性能的SOI结构，其特征在于：

所述氮化硼层(3)采用氮化硼材料。