[实用新型]电容阵列及存储装置有效
| 申请号： | 201921042635.2 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN210110740U | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 徐正弘 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/84;H01L27/01;H01L27/108;H01L27/11;H01L27/13;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种电容阵列及存储装置，属于半导体技术领域。该电容阵列包括基底、支撑结构、多个第一电极、电介质层和第二电极层；其中，所述支撑结构包括第一支撑层和多个支撑壁；所述多个支撑壁设于所述基底的一侧且呈直管状，所述支撑壁的延伸方向垂直于所述基底；所述第一支撑层连接各个所述支撑壁的外表面；多个第一电极一一对应地穿设于多个所述支撑壁中；任一所述第一电极的外表面与所述对应的所述支撑壁的内表面配合连接；电介质层覆盖至少部分所述第一电极；第二电极层设于所述电介质层远离所述第一电极的一侧。该电容阵列在制备时稳定性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 阵列 存储 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
