[实用新型]电容阵列及存储装置

说明书

本公开提供了一种电容阵列及存储装置，属于半导体技术领域。该电容阵列包括基底、支撑结构、多个第一电极、电介质层和第二电极层；其中，所述支撑结构包括第一支撑层和多个支撑壁；所述多个支撑壁设于所述基底的一侧且呈直管状，所述支撑壁的延伸方向垂直于所述基底；所述第一支撑层连接各个所述支撑壁的外表面；多个第一电极一一对应地穿设于多个所述支撑壁中；任一所述第一电极的外表面与所述对应的所述支撑壁的内表面配合连接；电介质层覆盖至少部分所述第一电极；第二电极层设于所述电介质层远离所述第一电极的一侧。该电容阵列在制备时稳定性更高。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电容阵列及存储装置。

背景技术

为了提高柱状电容器的电容，柱状电容器往往会增加下电极的高度以扩大下电极与电介质层之间的接触面积，使得柱状电容器具有很高的深宽比。同时，在下电极的中部可以设置带状固定层，以提高柱状电容器的稳定性。

随着柱状电容器的深宽比的不断提高，需要相应提高带状固定层与下电极之间的接触面积，否则下电极容易因接触面积的不足而受损。然而，受到刻蚀等工艺的限制，难以通过增加带状固定层的厚度的方式提高带状固定层与下电极之间的接触面积。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本公开的目的在于提供一种电容阵列及存储装置，提高电容阵列在制备时的稳定性。

为实现上述实用新型目的，本公开采用如下技术方案：

根据本公开的第一个方面，提供一种电容阵列，包括：

基底；

支撑结构，所述支撑结构包括第一支撑层和多个支撑壁；所述多个支撑壁设于所述基底的一侧且呈直管状，所述支撑壁的延伸方向垂直于所述基底；所述第一支撑层连接各个所述支撑壁的外表面；

多个第一电极，一一对应地穿设于多个所述支撑壁中；任一所述第一电极的外表面与所述对应的所述支撑壁的内表面配合连接；

电介质层，覆盖至少部分所述第一电极；

第二电极层，设于所述电介质层远离所述第一电极的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述支撑壁靠近所述基底的一端与所述第一支撑层连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述支撑壁远离所述基底的一端，与所述第一支撑层远离所述基底的表面之间的距离为30～150nm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述支撑壁在垂直于其延伸方向的横截面上呈圆环形。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一支撑层的厚度为15～60nm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一支撑层与所述基底之间的距离为450nm～1470nm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一支撑层的材料和所述支撑壁的材料相同。

在本公开的一种示例性实施例中，所述电容阵列包括多层所述支撑结构；其中，各层所述支撑结构的第一支撑层相互平行，且各层所述支撑结构的多个所述支撑壁一一对准设置；各层所述支撑结构的相互对准设置的支撑壁套设于同一所述第一电极。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极为具有一个封闭端的中空柱状电极，所述第一电极的封闭端与所述基底连接。

根据本公开的第二个方面，提供一种存储装置，包括上述的电容阵列。