[实用新型]铁电电容阵列、铁电存储单元和铁电存储器有效
申请号: | 201921040260.6 | 申请日: | 2019-07-03 |
公开(公告)号: | CN210296378U | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 邓袁军;周长胜 | 申请(专利权)人: | 四川省豆萁科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11507 | 分类号: | H01L27/11507 |
代理公司: | 北京市天玺沐泽专利代理事务所(普通合伙) 11532 | 代理人: | 鲍晓 |
地址: | 621000 四川省绵阳市经济技术开发*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种铁电电容阵列、铁电存储单元和铁电存储器。其中,在铁电电容阵列的方案中,所述铁电电容阵列包括:第一极板,所述第一极板包括用于金属互连的若干第一电极,以及覆于所述若干第一电极上的第一金属内衬层;铁电介质层,所述铁电介质层覆于所述第一金属内衬层上;若干第二极板,所述第二极板包括覆于所述铁电介质层上的第二金属内衬层,以及覆于所述第二金属内衬层上的、用于金属互连的第二电极。通过共用第一极板,可方便地构成铁电电容阵列,既可提高阵列的密度,进而提高铁电存储器的容量,又可简化制备工艺流程,减少工艺步骤,降低制备成本。 | ||
搜索关键词: | 电容 阵列 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的