[实用新型]铁电电容阵列、铁电存储单元和铁电存储器

权利要求书

1.一种铁电电容阵列，其特征在于，包括：

第一极板，所述第一极板包括：

用于金属互连的若干第一电极；以及

覆于所述若干第一电极上的第一金属内衬层；

铁电介质层，所述铁电介质层覆于所述第一金属内衬层上；以及

若干第二极板，所述第二极板包括：

覆于所述铁电介质层上的第二金属内衬层；以及

覆于所述第二金属内衬层上的、用于金属互连的第二电极。

2.如权利要求1所述的铁电电容阵列，其特征在于，所述若干第二极板之间的间隔包括500nm；

和/或所述第二极板的长度包括600nm。

3.如权利要求1所述的铁电电容阵列，其特征在于，所述铁电介质层的厚度包括5nm～20nm。

4.如权利要求1所述的铁电电容阵列，其特征在于，在所述第一金属内衬层与所述铁电介质层之间设置有第一缓冲层；

和/或在所述铁电介质层与所述第二金属内衬层之间设置有第二缓冲层。

5.如权利要求1所述的铁电电容阵列，其特征在于,所述第一金属内衬层的材料包括氮化钛；

和/或所述第二金属内衬层的材料包括氮化钛。

6.如权利要求1所述的铁电电容阵列，其特征在于,所述铁电介质层的材料包括氧化铪。

7.如权利要求1所述的铁电电容阵列，其特征在于,所述铁电介质层覆盖所述第一金属内衬层，或者所述铁电介质层间隔覆于所述第一金属内衬层上。

8.一种铁电存储单元，其特征在于，包括：

衬底；

如权利要求1至7中任意一项所述的铁电电容阵列；

晶体管，所述晶体管包括第一源漏极、第二源漏极和栅极，所述第一源漏极连接至所述晶体管对应的铁电电容的第一极板和第二极板之中的一个；

板线，所述板线连接至所述晶体管对应的铁电电容的第一极板和第二极板之中的另一个；

字线，所述字线连接至所述栅极；以及

位线，所述位线连接至所述第二源漏极。

9.如权利要求8所述的铁电存储单元，其特征在于，所述铁电电容阵列中的铁电电容设置于所述衬底上。

10.如权利要求9所述的铁电存储单元，其特征在于，所述铁电电容阵列中的铁电电容与所述衬底之间设置有介质层。

11.如权利要求8所述的铁电存储单元，其特征在于，当所述晶体管对应的铁电电容与第一连接目标的位置关系符合第一连接条件，且所述第一连接目标需要连接至所述晶体管对应的铁电电容的第一极板时，将所述第一极板延伸至所述第一连接目标的上方，所述第一连接目标通过第一接触孔连接至延伸后的所述第一极板。

12.如权利要求8所述的铁电存储单元，其特征在于，当所述晶体管对应的铁电电容与第二连接目标的位置关系符合第二连接条件，且所述第二连接目标需要连接至所述晶体管对应的铁电电容的第一极板时，在所述衬底上设置多晶硅层，所述晶体管对应的铁电电容的第一极板通过第二接触孔连接至所述多晶硅层，所述多晶硅层通过第三接触孔、若干第一通孔和若干第一金属层连接至所述第二连接目标。

13.如权利要求12所述的铁电存储单元，其特征在于，所述第二接触孔的位置在横向方向上，按预定的距离值偏离所述晶体管对应的铁电电容所在位置。

14.一种铁电存储器，其特征在于，包括：若干如权利要求8至13中任意一项所述的铁电存储单元。