[实用新型]一种电可控的二维自旋电子器件阵列有效
| 申请号： | 201920997049.7 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN210866183U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 吴雅苹;唐唯卿;吴志明;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;张迪 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种电可控的二维自旋电子器件阵列，包括半导体基片、设置于基片下表面的光栅结构的背栅电极，层叠设置在基片上表面的介电层、过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构、设置于过渡金属硫化物二维材料上表面两侧的两列电极对、BN二维材料钝化层，所述两列电极对由置于过渡金属硫化物二维材料上表面两侧的若干对位置一一对应的电极对等间距排列构成；所述自旋电子器件阵列可通过施加背栅电压对过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构进行静电掺杂，由此调控异质结构的磁各向异性及费米能级附近电子态的自旋极化方向，从而在电极对之间电压的作用下产生极化方向独立可控的自旋电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控 二维 自旋 电子器件 阵列 | ||
【主权项】：
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